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：IR牌子：场效应管 IRF9Z24NPBF *原装

供应：IR牌子：场效应管 IRF9Z24NPBF *原装

供应：IR牌子：场效应管 IRF9Z24NPBF *原装

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRF9Z24NPBF
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
A/宽频带放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
晶体管*性：
P沟道

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普通会员

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

产品分类

二极管(54)
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
三极管(36)
∟ 功率三极管(11)∟ 开关三极管(1)∟ 复合(达林顿)三极管(12)∟ 其他三极管(12)
场效应管MOSFET(110)
∟ MOSFET(102)∟ 结型场效应管(8)
可控硅IGBT(2)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)∟ 双向可控硅(晶闸管)(1)
连接器/接插件(7)
继电器(2)
∟ 电磁继电器(1)∟ 差动继电器(1)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)

新品上架

商品信息

场效应管MOSFET P TO-220 -55V -12A
晶体管*性:P沟道
电流, Id连续:12A
电压, Vds*大:55V
在电阻RDS（上）:172mohm
电压@ Rds测量:-10V
阈值电压, Vgs th典型值:-4V
功耗, Pd:45W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
功率, Pd:45W
功耗:45W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
温度@电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏*电流, Id*???值:-12A
热阻,结至外壳A:3.3°C/W
电压Vgs @ Rds on测量:-10V
电压, Vds:55V
电压, Vds典型值:-55V
电压, Vgs*高:-4V

联系方式

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

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