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可控硅(晶闸管)模块

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单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 可控硅(晶闸管)模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
广东
源头工厂
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Z0405MF 1AA2 晶闸管可控硅模块 TO202-3
Z0405MF 1AA2 晶闸管可控硅模块 TO202-3
  • 型号/规格：

    Z0405MF 1AA2

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装：

    TO202

  • 年份：

    14+

  • 数量：

    5000

类型 描述 类别 集成电路（IC） 晶闸管(可控硅)/模块 制造商 ST 系列 包装 卷带 输出配置 正 输出类型 可调式 稳压器数 1 电压 - 输入 6V 电压 -...

BTA08-800CW Littelfuse(美国力特)晶闸管(可控硅)/模块
BTA08-800CW Littelfuse(美国力特)晶闸管(可控硅)/模块
  • 型号/规格：

    BTA08-800CW

  • 品牌/商标：

    Littelfuse(美国力特)

  • 封装：

    TO-220(TO-220-3)

  • 年份：

    新年份

供应BTA08-800CW Littelfuse(美国力特)晶闸管(可控硅)/模块产品属性 产品属性属性值选择属性 制造商: Littelfuse 产品种类: 双向可控硅 RoHS: 详细信息 系列: BTA08-800CW 不重复通态电流: 90 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 800 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM ...

2P4M TO-92可控硅 YFW佑风微
2P4M TO-92可控硅 YFW佑风微
  • 型号/规格：

    2P4M

  • 品牌/商标：

    YFW(佑风微)

  • 封装：

    TO-92

  • TJ：

    -40~+110℃

  • ITSM：

    20A

  • IGM：

    0.2A

2P4M TO-92可控硅 YFW佑风微 8.0~10.0 Ampere / DO-27(DO-201AD) TYPE I(AV) VRRM IFSM VFM I RM @ VRRM trr Pafckage Outline @IRM VFM I(AV) TA=25℃ A V A V A μA nS SR84E 8.0 4...

FD150R12RT4 IGBT模块
FD150R12RT4 IGBT模块
  • 型号/规格：

    FD150R12RT4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装：

    MOSFET

  • 年份：

    22+

  • 数量：

    3000

供应 FD150R12RT4 FZ900R12KE4FZ900R12KP4FZ400R12KS4FZ600R12KS4SKM300GA12T4SKM400GA12T4SKM500GA128DSKM500GA123DSKM600GA12T4SKM400GA12VSKM400GA123DSKM400GA128DSKM400GA12E4SK...

ACS108-8SN-TR 晶闸管 可控硅 模块
ACS108-8SN-TR 晶闸管 可控硅 模块
  • 型号/规格：

    ACS108-8SN-TR

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装：

    SOT223

  • 批号：

    21+

  • 包装：

    托盘

  • 数量：

    5000

ACS108-8SN-TR 晶闸管 可控硅 模块 0.8 A-800 V过压保护交流开关（ACS™) 特征 使设备能够通过过压撬杆满足IEC 61000-4-5浪涌要求 技术 •抗静态dV/dt和IEC 61000-...

INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
  • 型号/规格：

    BSM35GP120

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

全新原装，公司现货。 BSM35GP120 参数： 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 否 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Hex 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.4 V 在25 C的连续集电极电流: 45 A 栅极—射极漏泄电流: 300 nA 功率耗散: 230 W 工作温度: + 125 C 栅极/发射极电压: +/- 20 V 工...

BTA08-800BWRG,可控硅，800V,8A 原装现货库存
BTA08-800BWRG,可控硅，800V,8A 原装现货库存
  • 型号/规格：

    BTA08-800BWRG

  • 品牌/商标：

    ST

  • 批次：

    15

  • 库存：

    680

为了满足广大客户的即时需求，公司在北京、深圳和香港等地都建立了自己的现货仓库，库存金额已接近一亿人民币。同时，公司通过强大的供货网络，可以随时从世界各地为客户调拨通用或紧缺元器件. 经营品牌 NXP,ON,DIODES,ST,FAIRCHILD,IR,INFINEON等各大知名品...

PSS15S92F6-AG 全新原装
PSS15S92F6-AG 全新原装
  • 型号/规格：

    PSS15S92F6-AG

  • 品牌/商标：

    Mitsubishi Electric

  • 封装：

    DIPIPM

  • 批次：

    23+

  • 无铅/环保：

    无铅/环保

PSS15S92F6-AG 全新原装制造商Mitsubishi Electric产品种类IGBT 模块RoHS是配置6-PackPd-功率耗散27 W工作温度- 30 C to + 100 C安装风格Screw Mount MAIN FUNCTION AND RATINGSl 3 p...

BSM25GD120DN2E3224 IGBT模块
BSM25GD120DN2E3224 IGBT模块
  • 型号/规格：

    BSM25GD120DN2E3224

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 安装风格：

    Chassis Mount

  • 产品类型：

    IGBT Modules

  • 产品种类：

    IGBT 模块

BSM25GD120DN2E3224 IGBT模块 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Hex 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压:...

优势现货 FP100R06KE3 IGBT 模块
优势现货 FP100R06KE3 IGBT 模块
  • 型号/规格：

    FP100R06KE3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装：

    MODULE

  • 高度：

    17 mm

  • 长度：

    122 mm

  • 包装数量：

    10

制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 产品: IGBT Silicon Modules 配置: 3-Phase Inverter 集电极—发射极zui大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.45 V 在25 C的连续集电极...

PK110FG160 特价产品
PK110FG160 特价产品
  • 型号/规格：

    PK110FG160

  • 品牌/商标：

    SanRex

  • 封装：

    模块

  • 年份：

    15+

  • 电压：

    1600

  • 数量：

    3000

全新原装进口 公司热卖优势产品 特价 欢迎来电咨询 ！！ PK25FG160 PK40FG120 PK40FG160 PK55F160 PK55FG120 PK55FG160 PK70FG120 PK70FG160 PK90F160 PK90FG120 PK90FG160 PK110F160...

FF600R12ME4A IGBT模块
FF600R12ME4A IGBT模块
  • 型号/规格：

    FF600R12ME4A

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 产品种类：

    IGBT 模块

  • 商标名：

    TRENCHSTOP

  • 产品类型：

    IGBT Modules

  • 单位重量：

    345 g

FF600R12ME4A INFINEON IGBT模块 供应商介绍 瀚佳科技（深圳）有限公司成立于2009年，是宜家中国电子元器件贸易百强企业、深圳半导体协会理事单位、军用电子元器件供应商，OEM合作订...

原装，IR模块 CPV363M4K
原装，IR模块 CPV363M4K
  • 型号/规格：

    CPV363M4K

  • 品牌/商标：

    IR

  • 工作温度：

    \t-40°C ~ 150°C（TJ）

  • NTC 热敏电阻：

    无

  • 输入：

    标准

  • 电压 - 集射极击穿（值）：

    600V

标准包装 160 类别 半导体模块 家庭 IGBT 系列 - IGBT 类型 - 配置 三相反相器电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2V @ 15V, 11A 电流 - 集电极 (Ic)（） 11A 电...

元件测试仪 Keysight N6762A
元件测试仪 Keysight N6762A
  • 型号/规格：

    N6762A

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 制造商：

    Keysight

  • 产品种类：

    元件测试仪

  • 输入电压：

    100 VAC to 240 VAC

  • 产品：

    DC Power Modules

  • 产品类型：

    Component Testers

  • 子类别：

    Test Equipment

产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Keysight 元件测试仪 Keysight N6762A 产品种类: 元件测试仪 RoHS: 详细信息 高度: 194.7 mm 元件测试仪 Keysight N6762A 输入电压: 100 VAC to 24...

2MBI1400VXB-120P-50全新现货
2MBI1400VXB-120P-50全新现货
  • 型号/规格：

    2MBI1400VXB-120P-50

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 产品种类：

    电源管理模块

  • 工厂包装数量：

    3

  • 封装：

    \t MODULE

2MBI1400VXB-120P-50数据表 制造商: Power Integrations 产品种类: 电源管理模块 RoHS: 详细信息 产品: IGBT Drivers 输入电压: 15.5 V 工作温度: - 40 C 工作温度: + 85 C 输出功率:...

回收ic芯片电子元器件收购工厂呆滞库存物料
回收ic芯片电子元器件收购工厂呆滞库存物料
  • 型号/规格：

    AD7893AR-10

  • 品牌/商标：

    ADI

  • 回收ic：

    芯片电子元器件

  • 收购工厂：

    呆滞库存物料

  • 求购：

    家电IC、电脑IC、通讯IC

  • 回收：

    IC，字库，二三极管，内存IC

回收各类IC，回收电子，回收电子元器件，内存回收，钽电容回收，二三极管回收的性回收IC与IC回收，为您的库存电子回收找到高价的理由。 回收地域：深圳东莞惠州珠海中山上海杭州北京...

PS21A79 三菱MITSUBISHI 600V50A IGBT
PS21A79 三菱MITSUBISHI 600V50A IGBT
  • 型号/规格：

    PS21A79

  • 品牌/商标：

    三菱/MITSUBISHI

  • 封装：

    TO-220

  • 最小包装：

    1

  • 数量：

    3000

  • 仓库：

    深圳

  • 交期：

    5-7天

  • 批次：

    21+

致诚达主要代理台湾通嘉,巨风芯,宝砾微, 率能半导体,无锡新洁能，长园维安,芯长征,威兆,成都芯进,旋智等国内产品线以及配套方案设计(直流无刷电机控制器方案提供商)，分销国外ON,Infi...

eupec 模块 TTB6C135N16L0F
eupec 模块 TTB6C135N16L0F
  • 型号/规格：

    TTB6C135N16L0F

  • 品牌/商标：

    eupec

6组可控硅135A1600V

FF150R12KE3G IGBT 模块
FF150R12KE3G IGBT 模块
  • 型号/规格：

    FF150R12KE3G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装：

    Tray

  • 批号：

    22+

  • 包装方式：

    卷带编带包装

参数名称 参数值 Source Content uid FF150R12KE3G 是否无铅 不含铅 是否Rohsren证 符合 生命周期 Active Objectid 1814741262 零件包装代码 MODULE 包装说明 FLANGE ...

IGBT单管 1KW50N65H5 原装英飞凌 场效应晶体管
IGBT单管 1KW50N65H5 原装英飞凌 场效应晶体管
  • 型号/规格：

    1KW50N65H5

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • Eoff (Hard Switching)：

    0.18 mJ

  • Eon：

    0.52 mJ

  • IC (@ 25°) max：

    80 A

  • IC (@ 100°) max：

    56 A

第五代高速 650 V 50 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT 与 RAPID 1 快速超软防关联二极管联合封装到 TO-247 封装，打造同类产品中极为卓越的 IGBT。特征描述650 V 击穿电压对比业界卓著的...

可控硅(晶闸管)模块行业资讯

  • 我国片式多层陶瓷电容器01005取得突破，宇阳科技添补空白[2016-06-28]

    近日，深圳市宇阳科技发展有限公司承担的国家强基工程项目——《移动互联用超微型片式多层陶瓷电容器》01005新产品通过科技成果鉴定。这是我国首批启动的“2013年工业转型升级强基工程示范项目”之一。宇阳科技作为国内主要片式多层陶瓷电容器(英文缩写ML

  • 片式多层陶瓷电容器市场分析[2007-11-19]

    随着中国日益成为全球的电子终端产品加工制造基地，中国的电子元器件市场也呈现出供需两旺的态势。其中，片式多层陶瓷电容器(MLCC，又称独石电容器)是目前用量、发展速度最快的片式元件之一。从下游供应链终端市场来看，电子产品对MLCC的需求呈现出

  • 片式多层陶瓷电容器综合分析[2007-10-27]

    随着中国日益成为全球的电子终端产品加工制造基地，中国的电子元器件市场也呈现出供需两旺的态势。其中，片式多层陶瓷电容器(MLCC，又称独石电容器)是目前用量、发展速度最快的片式元件之一。从下游供应链终端市场来看，电子产品对MLCC的需求呈现出

  • 片式多层陶瓷电容器分析[2007-10-26]

    随着中国日益成为全球的电子终端产品加工制造基地，中国的电子元器件市场也呈现出供需两旺的态势。其中，片式多层陶瓷电容器(MLCC，又称独石电容器)是目前用量、发展速度最快的片式元件之一。从下游供应链终端市场来看，电子产品对MLCC的需求呈现出

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