放大
长电
2N5551 NPN TO-92
硅(Si)
TO-92
品质， 价位， 交期， 服务！ 优势，欢迎订购！
电话：0769-89776724
品牌:* 型号:MPS650S 应用范围:放大 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:锗(Ge) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 特征频率:100（MHz） 集电*允许电流:1（A） 集电*允许耗散功率:1（W） 营销方式:* 产品性质:*供应全系列二三*管
电话：0769-86107115
品牌:*凯 型号:FPQ8N60C 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）供应全系列0.5W/1W/2W/5W稳压管...
电话：0769-82127809
TOSHIBA东芝
CSC5197
大功率
高频
NPN型
直插型
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 C5197 2SC5197 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 高频 *性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT...
电话：0769-84292222
品牌:FAIRCHILD 型号:13001~13007 应用范围:开关 功率特性:大功率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 截止频率fT:各种（MHz） 集电*允许电流ICM:各种（A） 集电*耗散功率PCM:各种（W） 营销方式:现货 产品性质:*PS2801-4 NEC SOPPS2501-1-A-LK NEC DIPPS2701-1-A-F3 NEC ...
电话：0769-82287848
*率
面接触型
锗(Ge)
高频
振荡
*
11（W）
现货
半导体三*管也称为晶体三*管，可以说它是电子电路中*重要的器件。它*主要的功能是电流放大和开关作用。三*管顾名思义具有三个电*。二*管是由一个PN结构成的，而三*管由两个PN结构成，...
电话：0769-85388861
品牌:威森 型号:9013 应用范围:功率 结构:扩散型 材料:硅 封装形式:TO-92 封装材料:塑料封装 本公司专营贴片/直插全系列0.5W.1W.2W.5W 稳压二*管.三端稳压..肖特基..快恢复..普通整流管..以及晶体三*管..开关二三*管..电解电容..电阻..价格尽取..质量*..有需要的请联系..价格可详谈！联系人：庄生电话：传真：手机：......
电话：0769-28592211
ST/长电/不凡
2SC1623-TIB
振荡
*率
高频
NPN型
平面型
锗(Ge)
经营品牌: 电阻:厚声等。 电容:风华.国*.三星.TDK等。 二.三*管:先科、安森美、飞利浦、长电等。 欢迎来电了解沟通洽谈！
电话：0769-83535286
放大
国产
贴片三*管tl431
硅(Si)
TO-220
♥♥♥♥♥♥♥♥♥♥&h...
电话：0769-87931551
品牌:国产 型号:SS8550 TO-92 应用范围:放大 功率特性:小功率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:树脂封装 截止频率fT:10（MHz） 集电*允许电流ICM:500m（A） 集电*耗散功率PCM:625（W） 营销方式:* 产品性质:*品名：插件三*管型号：SS8550规格：TO-92包装数量：1000PCS/袋品牌...
电话：0769-83516625
放大
景光
7T85RB
锗(Ge)
金属陶瓷结构
5
35
110
7T85RB （FU-8802F）型电子管系金属陶瓷结构、碳化钍钨阴*、强迫风冷三*管。阳*耗散为2.5KW，工作频率为11MHz阳*输出功率为5.1KW。主要用于工业高频加热设备作振荡器，可与日本东芝公...
电话：0769-22786180
品牌:ST意法半导体 型号:2SA812-3 应用范围:功率 功率特性:*率 频率特性:中频 *性:PNP型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:树脂封装 特征频率:90（MHz） 集电*允许电流:80（A） 集电*允许耗散功率:10（W） 营销方式:* 产品性质:* 鹏之翔电子有限公司成立于1992年，是一家以生产、销售为一体的企业。于电子...
电话：0769-83429466
