DA40-1000SXXG1N4
爱浦
40W
85-900VAC
24,28,35,37V
127.0×67.0×36.0mm
电话:4008898821
QUNIT-DC-UPS/24DC/20
菲尼克斯
德国菲尼克斯电源 2938963 QUINT-DIODE/40 冗余模块 2866349 QUINT-BAT/24DC/ 3.4AH 电池模块 2866213 QUINT-BUFFER/24DC/20 缓冲模块 2864406 MINI MCR-SL-I-I 隔离放大器 2814029 MCR-2CLP-I-I-00 无源隔离器 2864422 MINI MCR-SL-RPS-I-I 馈电隔离器 2810913 MCR-C-UI-UI-DCI 隔离放大器 2981020 PSR-SCP- 24DC/ESP4/2X1...
电话:0591-28351272
手机:13675045399
DKSC DK5 SET POINT 24V
魏德米勒
0DKR3224VUC1A0DKR3512VDC1A0DKR3524VDC1A0DKR3524VDC1A0DKR3524VDC1U0DKR3524VUC1A0DKR3524VUC1U0DKR355VDC1A0DKRDK524VUC1U0DKSCDK5SETPOINT24V0DKSCDK5SETPOINT24V0DKV3524VDC0,5A0DKV355VDC0,5A0DKZ3524VUC1S7 IEMS2000T-28G 网络通讯产品(PN)0 IEMS3000-4G+24-HV 网络通讯产品(PN)1 IEMS3000-4G+24 网络通讯产品(PN)2 ...
电话:0591-28351884
手机:13625021650
器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS...
InnoSwitch4-Pro系列反激式开关IC可实现效率超过95%、外形小巧、同时兼容USBPD和通用快充技术规范(UFCS)的适配器设计,并且输出功率高达220W 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司PowerIntegrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布推出InnoSwitch4-Pro系列可数字控制的离线...
STR6A100xV/xVD系列是功率MOSFET和电流模式PWM控制IC封装在一起的开关电源用功率IC。 为了提高全负载范围的效率,对应不同负载自动的切换绿色模式和间歇振荡模式。增强的保护功能,构成部品少,可以很容易构成高性价比的电源系统。 此次,...
该系列具有高性价比、小体积,高效,高功率密度等特点,满足IEC/UL/EN62368,EN60335/EN61558,GB4943,IEC/ES/EN60601等标准,可广泛应用在智能制造,医疗,家电/商电等领域,使用安全可靠,极具性价比。 一、产品优势如下 1)小体积,高功率密度...
根据市场对中大功率段电源需求,金升阳完善机壳开关电源产品线, 新推出600W 带主动式PFC功能AC/DC机壳电源——LMF600-20Bxx系列。 该系列具有小体积、宽工作温度范围(-40℃ to +70℃)等特点,满足IEC/UL/EN62368,EN60335/EN61558,GB4943,IEC/ES/EN60...
对于专用开关模式电源,线性稳压器通常比由齐纳二极管和电阻器、晶体管甚至运算放大器等分立元件制成的等效稳压器电路更高效且更易于使用。 迄今为止,最流行的线性和固定输出电压调节器类型是 78… 正输出电压系列和 79… 负输出电压系列。这两种类型的互...
在最初设计阶段,首先要考虑开关电源的一些主要参数,这有助于设计者确 定自己所选的拓扑是否正确,也便于提前预定实验板所需的元器件。同时可以知 道接下来的设计所需的一些非常重 要的参数。关于如何对“黑箱”进 行估计,设计者只要知道设计指标 中的一些...
目前开关电源的设计有两种途径:从最底层开始设计和从数据手册上拷贝电 路的方法。目前市场上有很多很好的控制集成芯片,而且这些芯片的数据手册上 都有事先准备好的设计步骤。本书的目的是让读者对开关电源设计有更进一步深 入、扎实的理解。下面的设计例子...
耍捉高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的 损耗人致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损 耗通常会在有损兀器件中同时出现,下liLI将分別讨论。 3.4节的表3-3给出/乜关主要损耗的位置和程度。表屮...
在设计电源转换器时,碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。 它们在高效硬开关拓扑中具有卓越的鲁棒性,使其成为实现千瓦级电源解决方案的功率因数校正 (PFC) 级...