LLCC/无引线陶瓷片载
IPP023NE7N3G
HEMT高电子迁移率
MOS-INM/*组件
INFINEON/英飞凌
P沟道
结型(JFET)
耗尽型
企业名:深圳市品慧电子有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:全汉桃
地址:广东深圳中国 广东 深圳市南山区 天安数码城天祥大厦AB座9B2-36
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
晶体管*性: N-Channel
汲*/源*击穿电压: 75 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流: 120 A
漏源导通电阻: 2.3 mOhms
配置: Single
*大工作温度: 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PG-TO-220-3
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
系列: IPP023NE7
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
*件号别名: IPP023NE7N3GXKSA1 SP
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司