ME2100 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声问题，减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V（按 0.1V 的级差），振荡频率为 100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的 ME2100Xxx，组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。带 CE 端 的ME2100Cxx，具有关断功能，可使芯片功耗达到。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。特点：选型指南： 应用：ME2100 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声问题，减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V（按 0.1V 的级差），振荡频率为 100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的 ME2100Xxx，组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。带 CE 端 的ME2100Cxx，具有关断功能，可使芯片功耗达到。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。z 极低的静态电流：典型值为 6μAz 只需少量的外接元件：仅一只肖特基二极管、一只电感和一只电容z 低纹波及低噪声z 工作电压范围：0.9V~6.5Vz 带载能力强：当Vin=3.0V且Vout=3.3V时 Iout=300mAz 输出电压范围：2.0V~7.0V(步长 0.1V)z 输出电压高精度：?2.5%z 低启动电压：值为 0.9V(输出电流为 1mA 时)z 工作频率：100KHz(典型值)z 高效率：典型值为 85%z 封装尺寸：SOT-23，SOT-89 DC-DC升压IC DC-DC升压IC DC-DC升压IC DC-DC升压IC

特点：选型指南： 应用：ME2100 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PFM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声问题，减小对周围电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V（按 0.1V 的级差），振荡频率为 100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的 ME2100Xxx，组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。带 CE 端 的ME2100Cxx，具有关断功能，可使芯片功耗达到。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。z 极低的静态电流：典型值为 6μAz 只需少量的外接元件：仅一只肖特基二极管、一只电感和一只电容z 低纹波及低噪声z 工作电压范围：0.9V~6.5Vz 带载能力强：当Vin=3.0V且Vout=3.3V时 Iout=300mAz 输出电压范围：2.0V~7.0V(步长 0.1V)z 输出电压高精度：?2.5%z 低启动电压：值为 0.9V(输出电流为 1mA 时)z 工作频率：100KHz(典型值)z 高效率：典型值为 85%z 封装尺寸：SOT-23，SOT-89 

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