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  开关电源一直是电子行业里*热门的技术，而它的发展趋势又是大家*须时刻关注的问题，不然一不留*就会跟不上技术发展的步伐。以下是对开关电源技术发展关注焦点的调查得出的三个热门关注点。

关注点一：功率半导体器件性能

　　1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“*结”(Super-Junction)结构，故又称*结功率MOSFET。工作电压 600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。

　　IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别*3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已*6500V，一般IGBT的工作频率上限为 20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT，可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

　　IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

　　碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流*小、PN结耐压高等，有利于制造出*的高频大功率半导体电子元器件。

　　可以预见，碳化硅将是21世纪*可能成功应用的新型功率半导体器件材料。

关注点二：开关电源功率密度

　　*开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化，是人们不断努力追求的目标。电源的高频化是国际电力电子界研究的热点之一。电源的小型化、减轻重量对便携式电子设备(如移动电话，数字相机等)尤为重要。使开关电源小型化的具体办法有：

　　一是高频化。为了实现电源高功率密度，*须*PWM变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。

　　二是应用压电变压器。应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电陶瓷材料*的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量，其等效电路如同一个串并联谐振电路，是功率变换领域的研究热点之一。

　　三是采用新型电容器。为了减小电力电子设备的体积和重量，*须设法改进电容器的性能，*能量密度，并研究开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器，要求电容量大、等效串联电阻*R小、体积小等。

关注点三：高频磁与同步整流技术

　　电源系统中应用大量磁元件，高频磁元件的材料、结构和性能*同于工频磁元件，有许多问题需要研究。对高频磁元件所用磁性材料有如下要求：损耗小，散热性能好，磁性能*。适用于兆赫级频率的磁性材料为人们所关注，纳米结晶软磁材料也已开发应用。

　　高频化以后，为了*开关电源的效率，*须开发和应用软开关技术。它是过去几十年国际电源界的一个研究热点。

　　对于低电压、大电流输出的软开关变换器，进一步*其效率的措施是设法降低开关的通态损耗。例如同步整流SR技术，即以功率MOS管反接作为整流用开关二*管，代替萧特基二*管(*D)，可降低管压降，从而*电路效率。