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无锡固电ISC 供应可控硅 BT134-600E

无锡固电ISC 供应可控硅 BT134-600E
无锡固电ISC 供应可控硅 BT134-600E
  • 品牌/商标:

    ISC/ISCSEMI

  • 型号/规格:

    BT134-600E

  • 控制方式:

    单向

  • 极数:

    三极

  • 封装材料:

    塑料封装

  • 封装外形:

    TO-126

  • 关断速度:

    普通

  • 散热功能:

    不带散热片

  • 频率特性:

    中频

  • 功率特性:

    小功率

  • 额定正向平均电流:

    4(A)

  • 控制极触发电流:

    10(mA)

金牌会员 第 9
  • 企业名:无锡固电半导体股份有限公司

    类型:生产制造商

    电话: 0510-85346300

    手机:15961889150

    联系人:潘小姐

    QQ: QQ:3003893898

    微信:

    邮箱:mdc@iscsemi.com

    地址:江苏无锡无锡新区新梅路68号

商品信息

Features                                            

·With TO-126P package

·Designed for use in general purpose bidirectional switching and phase

control applications ,   which are intended to be interfaced directly to

microcontrollers ,  logic integrated circuits  and other low power gate  

trigger circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL

PARAMETER

MIN

UNIT

VDRM

Repetitive peak off-state voltage

600

V

VRRM

Repetitive peak off-state voltage

600

V

IT(RMS)

RMS on-state current (full sine wave)

4

A

ITSM

Non-repetitive peak on-state current

25

A

PGM

Peak gate power dissipation

5

W

PG(AV)

Average gate power dissipation

0.5

W

Tj

Operating junction temperature

110

Tstg

Storage temperature

-45~150

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

IRRM

Repetitive peak reverse current 

VR=VRRM,

VR=VRRM, Tj=110

 

0.01

0.2

mA

IDRM

Repetitive peak off-state current

VD=VDRM,

VD=VDRM, Tj=110

 

0.01

0.2

mA

IGT

Gate trigger current

VD=12V; IT= 0.1A, RL= 30Ω

 

10

mA

10

10

25

VTM

On-state voltage

IT= 5A

 

1.7

V

IH

Holding current

IGT= 0.1A, VD= 12V

 

10

mA

VGT

Gate trigger voltage

VD=12V; RL= 30Ω

 

1.5

V

"

联系方式

企业名:无锡固电半导体股份有限公司

类型:生产制造商

电话: 0510-85346300

手机:15961889150

联系人:潘小姐

QQ: QQ:3003893898

微信:

邮箱:mdc@iscsemi.com

地址:江苏无锡无锡新区新梅路68号

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