贴片型
2S*226-SOT323
硅(Si)
国产
微波
企业名:北京鼎霖电子科技有限公司
类型:其他
电话: 8601052383983
手机:13466592802
地址:广东广州中国北京北京市旧宫西路93号
2S*226NPNTRANSISTOR (NPN)
MICROW*E LOW *ISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
简述: |
本芯片采用硅外延工艺制造;
具有高功率增益放大以及低噪声特性;
大动态范围,理想的电流线性;
主要应用于*频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器;
封装形式:SOT-323或者SOT-23;
集电*-基*击穿电压:BVCEO=15V,集电*电流:IC=100mA,集电*功率:PC=200mW,特征频率:fT=4.5GHz。
*限参数(Tamb=25℃): |
参数名称 | *号 | 额定值 | 单位 |
集电*-基*击穿电压 | BVCBO | 20 | V |
集电*-发射*击穿电压 | BVCEO | 12 | V |
发射*-基*击穿电压 | BVEBO | 3 | V |
集电*电流 | IC | 100 | mA |
耗散功率 | PT | 150 | mW |
*高结温 | TJ | 150 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -65~+150 | ℃ |
电参数及规格(Tamb=25℃): |
参数名称 | *号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 | ||
*小值 | 典型值 | *大值 | ||||
集电*截止电流 | ICBO | VCB=10V,IE=0 | - | - | 1.0 | μA |
发射*截止电流 | IEBO | VEB=1.0V,IC=0 | - | - | 1.0 | μA |
直流电流放大系数 | hFE | VCE=3V,IC=7mA | 40 | 160 | 250 |
|
特征频率 | fT | VCE=3V,IC=7mA | 3.0 | 4.5 | - | GHz |
反馈电容 | Cre | IC=ic=0,VCB=3V,f=1MHz | - | 0.7 | 1.5 | pF |
*功率增益 | ∣S21∣2 | IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz | - | 7.9 | - | dB |
噪声系数 | NF | VCE=3V,IC=7mA,f=1.0GHz | - | 1.2 | 2.5 | dB |
| 北京鼎霖电子科技有限公司 Mobile: Fax: 北京亦庄荣华中路7号C-1008 | ||||
|
| ||||
| |||||
|
PACKAGE INFORMATION | ||||
Device | Package | Shipping | Inner Box | Carton |
2SC3356 | SOT-23 | 3000/Tape&Reel | 15 Tape&Reel | 4 Inner Box |
PACKAGE INFORMATION | ||||
Device | Package | Shipping | Inner Box | Carton |
2SC3356 | SOT-323 | 3000/Tape&Reel | 15 Tape&Reel | 4 Inner Box |
CLASSIFICATION OF hFE | |||||
Rank | Q | R | S | ||
Range | 40~80 | 70~140 | 125~250 | ||
Marking | R23 | R24 | R25 | ||
北京鼎霖电子科技有限公司 Mobile: Fax: 北京亦庄荣华中路7号C-1008 |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司