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优质高频微波三*管 22SC3356-R24-SOT23*

供应优质高频微波三*管 22SC3356-R24-SOT23*
供应优质高频微波三*管 22SC3356-R24-SOT23*
  • 封装形式:

    贴片型

  • 型号/规格:

    2SC3356-R24

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    国产

  • 应用范围:

    微波

普通会员
商品信息 更新时间:2012-12-15



 北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月,公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线,主要从事民用及*等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备,与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套,形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二*管、微波功率器件、快恢复功率二*管、MEMS器件等产品,月产量*5000圆片。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证,秉承顾客至上、管理规范、用心*、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于*、民用电子整机产品上,受到广大客户的普遍好评及*。

 

2SC5508参数:

 

  类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电*-发射*电压VCEO:12V

  集电*-基*电压VCBO:20V

 

  发射*-基*电压VEBO:3V

  集电*直流电流IC:150mA

 

  总耗散功率(TA=25℃)Ptot:0.25W

 

  工作结温Tj:150℃

 

  贮存温度Tstg:-65~150℃

 

  封装形式:SOT-23

  功率特性:*率

 

  *性:NPN型

 

  结构:扩散型

 

  材料:硅

 

  封装材料:塑料封装

 

电性能参数(TA=25℃):

 

  击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3

  直流放大系数hFE:80-160@VCE=8V,IC=20mA

 

  集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)

 

  发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)

 

  特征频率fT:25.0GHz@ VCE=8V,IC=20mA

 

  集电*允许电流IC:0.1(A)

 

  集电**大允许耗散功率PT:0.25(W)

 

  功率增益GUM:11.5dB@IC=20mA,VCE=8V,f=1GHz

 

反馈电容Cre:0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=8V,f=1MHz。

 

*功率增益∣S21∣:11.5dB@IC=20mA,VCE=8V,f=1GHz

 

 

联系方式

企业名:北京鼎霖电子科技有限公司

类型:其他

电话: 8601052383983

手机:13466592802

地址:广东广州中国北京北京市旧宫西路93号

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