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IRFB4710PBF *价格原装现货!

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  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    IRFB4710PBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    7500(mA)

  • 耗散功率:

    2000(mW)

普通会员
  • 企业名:深圳市创导电子有限公司

    类型:其他

    电话: 86-13751053809

    联系人:尹先生

    QQ: QQ:358816212

    邮箱:caudau@sina.com

    地址:广东深圳宝安区六区宝河大厦C座

产品分类
商品信息

描述

  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:75A
  • 电压, Vds *大:100V
  • 通电阻:14mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs *高:5.5V
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功率, Pd:200W
  • 功耗:200W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 晶体管类型:
  • 漏*电流, Id *大值:75A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电流, Idm 脉冲:300A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on *大:14mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 阈值电压, Vgs th *高:4.5V

联系方式

企业名:深圳市创导电子有限公司

类型:其他

电话: 86-13751053809

联系人:尹先生

QQ: QQ:358816212

邮箱:caudau@sina.com

地址:广东深圳宝安区六区宝河大厦C座

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