广州晶丰—东光MOS-DG2N65N 沟道增强型场效应晶体管

封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
型号/规格：
DG2N65
材料：
IGBT绝缘栅比极
用途：
CC/恒流
品牌/商标：
江苏东光
沟道类型：
/
种类：
绝缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型

发布询价信息

普通会员

企业名：广州晶丰电子科技有限公司

类型：经销商

电话： 0755-82840488

手机：13631663026

联系人：何先生

QQ：

邮箱：hedongxing@jflying.com.cn

地址：广东深圳福田区车公庙都市阳光名苑2座12E

产品分类

新品上架

商品信息 更新时间：2013-11-22

DG2N65

版本号：V1.1

N沟道增强型场效应晶体管

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

产品概述General Description

DG2N65是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东光微电的相关技术，采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术，降低了导通损耗，提高了开关特性，增强了雪崩耐量。该产品能应用于多种功率开关电路，使得电源能效更高，系统更加小型化。

DG2N65 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-electronics’s proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching

circuit for higher efficiency and system miniaturization.

联系方式

企业名：广州晶丰电子科技有限公司

类型：经销商

电话： 0755-82840488

手机：13631663026

联系人：何先生

QQ：

邮箱：hedongxing@jflying.com.cn

地址：广东深圳福田区车公庙都市阳光名苑2座12E

相关产品

提示：您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责，请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购！

电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

友情链接： 深圳市元东发电子有限公司