| 品牌：INFINEON/英飞凌 | 型号：IPB020N04NG | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：40（V） |
| 夹断电压：40（V） | 跨导：50（μS） | *间电容：6000（pF） |
| 低频噪声系数：24（dB） | *大漏*电流：500（mA） | *大耗散功率：500（mW） |
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