品牌:IR 型号:G*C30FD-S 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:电源/逆变转换/UPS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30（V） 夹断电压:24（V） 低频跨导:30（μS） *间电容:560（pF） 低频噪声系数:24（dB） *大漏*电流:500（mA） *大耗散功率:600（mW）

*缘栅双*晶体管G*C30FD-S*缘栅双*晶体管G*C30FD-S*缘栅双*晶体管G*C30FD-S*缘栅双*晶体管G*C30FD-S

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