| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRL3714S |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| *间电容 | 550（pF） | *大漏*电流 | 360（mA） |
| *大耗散功率 | 3500（mW） |
| IRL3714Z(S/L)PbF |
| TO-220AB Pkg |
| IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1 IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 16 毫欧 @ 15A, 10V |
| 20V |
| 2.55V @ 250µA |
| 7.2nC @ 4.5V |
| 36A |
| 550pF @ 10V |
| 35W |
| 通孔 |
| TO-220-3 (直引线) |
| 管件 |
| 1372 (CN091-10 PDF) |
| *IRL3714ZPBF |
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