| 品牌/商标 | ONSEMI | 型号/规格 | M*T8050LT1G M*T8550LT1G |
| 类别 | 贴片 | 结构 | 平面型 |
| 封装形式 | 塑料封装 | 材料 | 硅 |
| *性 | NPN型 | 电流容量 | 大功率 |
| 频率类型 | 高频 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 应用范围 | 功率 |
供应M*T8050LT1 M*T8550LT1贴片三*管,SMD三*管800MA，有意者请联系
| 集电*--基*击穿电压 | BVCBO | IC=100μA,IE=0 | 40 | V | |
| 集电*--发射*击穿电压 | BVCEO | IC=1mA,IB=0 | 25 | V | |
| 发射*--基*击穿电压 | BVEBO | IE=100μA,IC=0 | 5 | V | |
| 集电*--基*截止电流 | ICBO | VCB=35V,IE=0 | 150 | nA | |
| 发射*--基*截止电流 | IEBO | VEB=4V,IC=0 | 150 | nA | |
| 直流电流增益 | hFE | VCE=1V,IC=100mA | 85 | 400 | |
| 集电*--发射*饱和电压 | VCE（SAT） | IC=800mA,IB=80mA | 0.5 | V |
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