产品型号:FDD8451
概述
N-沟道MOSFET而专门设计的，以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。

它已被优化的低门电荷，快速开关速度和非常低的RDS（ON）。

应用
 * DC / DC变换器
 * 背光逆变器

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.024

漏极电流Id(on)(A):28

功率PD(W):30

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150

描述:40 V, 28A 功率MOSFET

特点:
 * Max rDS(on)=24mΩ at VGS = 10V, ID = 9A
 * Max rDS(on)=30mΩ at VGS = 4.5V, ID = 7A
 * 低栅极电荷
 * 快速开关
 * 高性能沟槽技术非常低RDS（ON）
 * RoHS标准
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