产品型号:SI7636DP-T1-E3

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004

漏极电流Id(on)(A):17

功率PD(W):1.9

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):QFN8 5*6/PowerPAK SO-8/-55 ~150

描述:30V, 17A 功率MOSFET

特点
•无卤素根据IEC 61249-2-21可用的
•超低导通电阻采用高密度第二代TrenchFET功率MOSFET技术
•优化的Qg
•新的低热阻的PowerPAK®封装低1.07 mm外形
•100％的Rg测试

应用
•低端的DC / DC转换
 - 笔记本电脑
 - 服务器
 - 工作站
•同步整流，POL

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