产品型号:STP3NK60ZFP
特点：
 * 典型的RDS（ON）=3.3Ω
 * 极高dv/dt能力
 * 100％的雪崩测试
 * 栅极电荷化
 * 非常低的固有电容
 * 制造重复性非常好
说明
超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻

显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为苛刻的应用。这种充满

了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。
应用
 * 大电流，高开关速度
 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
 * 照明

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):2.4

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):20

输入电容Ciss(PF):311 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：1.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273

导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.

上升时间Tr(ns):14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.

下降时间Tf(ns):14 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管

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