SSM6K24FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,30V,0.5A,0.145Ω

产品型号:SSM6K24FE

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):0.1

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):7.8 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(ms)：25

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6K24FE,30V,0.5A,0.145Ω N-沟道增强型场效应晶体管

 

 

SSM6K211FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,3.2A,0.047Ω，带二极静电保护
产品型号:SSM6K211FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

应用:
 * 高速开关应用
 * 电源管理开关应用

特点：
 * 1.5-V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 118 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V)
             ：Ron = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
             ：Ron = 59 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
             ：Ron = 47 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±10

漏极电流Id(A):3.2

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.047 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):510 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：11

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6K211FE,20V,3.2A,0.047Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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