产品型号:IPP50R520CP CoolMOSTM Power Transistor

Features
 * Lowest figure of merit RON x Qg
 * Ultra low gate charge
 * Extreme dv/dt rated
 * High peak current capability
 * Pb-free lead plating; RoHS compliant
 * Quailfied according to JEDEC1) for target applications

标记：5R520P

封装:TO-220

品牌：Infineon/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

漏极电流Id(A):7.1

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.52 @VGS = 10 V

CoolMOS CP是专为：
 * 硬与软交换SMPS拓扑结构
 * DCM PFC灯镇流器
 * PWM灯镇流器，PDP和LCD电视

COOL MOS也有叫super junction mosfet的
一种基于电子科技大学陈星弼院士发明，打破传统功率MOSFET理论极限，被国际上盛誉为功率

MOSFET领域里程碑的新型功率MOSFET-CoolMOS于1998年问世并很快走向市场。CoolMOS由于采用新的

耐压层结构，在几乎保持功率MOSFET所有优点的同时，又有着极低的导通损耗。

Coolmos的宗旨: 追求开关损耗

在Coolmos上，是通过P柱，形成更大的PN结，从而降低Rds。但是就如同你讲的，Coolmos，降低了

Rds，所以他的EAS能力较之平面管要低，这也对电源设计者提出了更高的要求。但是我们都知道，

能用得起Coolmos的电源，基本称之为电源，那方案的设计肯定是精益求精的。不是普桑上装了

个上万的音响，而是宝马上都是原装配置。这就是差距。

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