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DS1220AB-100 多功能存储器

DS1220AB-100 多功能存储器

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企业名：深圳市福田区开源高科电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：肖耿豪

地址：广东深圳振华路163号高科德电子市场6楼62850室

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完整的数据资料

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数据资料(PDF)

Rev. 3

(PDF, 172kB)

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续*V_CC是否*出容差范围，一旦*出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、*数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，*合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

本产品包含金属锂电池。参见含电池设备的运输要求使用标准。

关键特性

在没有外部电源的情况下*少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
JEDEC标准的24引脚DIP封装
100ns的读写存取时间
*次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
&plu*n;10% V_CC工作范围(DS1220AD)
可选择&plu*n;5% V_CC工作范围(DS1220AB)
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
通过美国保险商实验室协会(UL®)

联系方式

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联系人：肖耿豪

地址：广东深圳振华路163号高科德电子市场6楼62850室

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