| 加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：3DD5686 |
| 应用范围：功率 | 材料：硅(Si) | *性：NPN型 |
| 集电**大允许电流ICM：50（A） | 集电**大耗散功率PCM：300（W） | 结构：平面型 |
| 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 | 击穿电压VCBO：280 |
*缘型大功率三*管为我公司自主生产的产品，并获得该产品的*证书。
此产品可做成内*缘和外*缘两种形式！
型号：3DD5686
NPN大功率三*管
封装形式：TO-*II
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | * 号 | 额定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | 200 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | 250 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | ≥6 | V |
集电*电流 | IC | 30 | A |
耗散功率 | Pc | 300 | W |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | |||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | — | — | 10.0 | mA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | — | — | 10.0 | mA |
直流电流增益 | hFE | 30 | — | 120 |
|
集电*-发射*饱和电压 | VCEsata | — | — | 3 | V |
集电*-发射*击穿电压 | V(BR)CEO | 200 | — | — | V |
集电*-基*击穿电压 | V(BR)CBO | 250 | — | — | V |
发射*-基*击穿电压 | V(BR)EBO | 7.0 | — | — | V |
开启时间 | Ton | — | — | 1.8 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 5.0 | us |
下降时间 | tf | — | — | 1 | us |
a:脉冲测试 |
注：此信息中的一口价为商业品价格，如需工业品及以上级别的产品，请咨询在线销售人员。
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