否
国产
3DD5686
放大
硅(Si)
NPN型
50（A）
300（W）
平面型
直插型
塑料封装
企业名：富阳创博科技有限公司
类型：生产加工
电话： 0571-63342995
联系人：周柏泉
地址：浙江杭州后周路8-1号
我公司是生产三*管（大功率）、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。
型号：3DD5686
NPN大功率三*管
封装形式：TO-*II
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | * 号 | 额定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | 200 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | 250 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | ≥6 | V |
集电*电流 | IC | 50 | A |
耗散功率 | Pc | 300 | W |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | |||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | — | — | 10.0 | mA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | — | — | 10.0 | mA |
直流电流增益 | hFE | 30 | — | 120 |
|
集电*-发射*饱和电压 | VCEsata | — | — | 3 | V |
集电*-发射*击穿电压 | V(BR)CEO | 200 | — | — | V |
集电*-基*击穿电压 | V(BR)CBO | 250 | — | — | V |
发射*-基*击穿电压 | V(BR)EBO | 7.0 | — | — | V |
开启时间 | Ton | — | — | 1.8 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 5.0 | us |
下降时间 | tf | — | — | 1 | us |
a:脉冲测试 | |||||
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
