5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关源DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。

1、特征                        

• · 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V；                                                         
• · 极低栅电荷，典型15nC； 
•  ·极低反向转换电容；典型6.5pF 

• · 快速开关能力；            
• · 增强的dV/di能力； 
• · 100%雪崩击穿测试；                                         
• · 封装型式：TO-220/220F 
• · 结温 150 ℃    

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