SILICON RE*IFIER

对整流管的检查方法

*先将整流器中的整流二*管*拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二*管的两根引出线(头、尾对调各测)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的*几拾万Ω、而电阻值小的*几佰Ω甚至更小，说明该二*管是好的(发生了软击穿的二*管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二*管已被击穿损坏不能使用。常用参数（1）*大平均整流电流IF：指二*管长期工作时允许通过的*大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二*管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二*管的IF为1A。

（2）*高反向工作电压VR：指二*管两端允许施加的*大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二*管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV

（3）*大反向电流IR：它是二*管在*高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二*管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二*管质量越好。

（4）击穿电压VR：指二*管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

（5）*高工作频率fm：它是二*管在正常情况下的*高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率*过fm，则二*管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二*管的fm为3kHz。

（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

（7）*偏压电容CO：指二*管两端电压为*时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二*管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二*管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。