| 品牌/商标 | ON安森美 | 型号/规格 | NCV2903DR2G |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| *性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 1（V） |
| 集电**大允许电流ICM | 1（A） | 集电**大耗散功率PCM | 1（W） |
| 截止频率fT | 1（MHz） | 结构 | 点接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 树脂封装 |
NCV2903 低偏移电压双路比较器
NCV2903DR2G
NCV2903DMR2G
产品特性
1.宽单电源范围：2.0V-36V
2.双电源范围：&plu*n;1.0 V至&plu*n;18V
3.*低的电源电压电流消耗*：0.4mA
4.低输入偏置电流：25 nA的
5.低输入失调电流：5.0 nA的
6.低输入失调电压：5.0测量值（*大）LM293/393
7.输入共模范围内的地电平
8.差分输入电压范围等于电源电压
9.输出电压兼容DTL,ECL,TTL,MOS和CMOS逻辑电平
10.输入*D钳位
11.无铅封装
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