| 品牌：FSC*童半导体 | 型号：FQPF8N80C | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 封装外形：CHIP/小型片状 |
| 材料：IGBT*缘栅比* | 开启电压：+_30V（V） | 夹断电压：800（V） |
| 低频跨导：5.6S（μS） | *间电容：1875（pF） | *大漏*电流：32A（mA） |
| *大耗散功率：59W（mW） |
FQPF8N80C FSC TO220F 50只/管，1000只/包装，全塑封,*原包装，品质优良，欢迎选购！
FQPF8N80C FSC 全塑封 TO220F 是*童半导体（Fairchild Semiconductor）原产场效应管，800V N沟道MOSFET ，N沟道增强型功率场效应晶体管是运用*童半导体专有平面条纹DMOS技术，这种*的技术已*针对尽量减少对通态电阻，提供*的开关性能，经受住在*量脉冲雪崩和减刑模式。此器件适合*率开关模式电源。
特色：
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