| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | S9015 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| *性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 10（V） |
| 集电**大允许电流ICM | 10（A） | 集电**大耗散功率PCM | 10（W） |
| 截止频率fT | 10（MHz） | 结构 | 点接触型 |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
NPN EBC 低频放大 50V0.5A0.625WC9013 NPN三*管
作为音频放大和收音机1W推挽输出
参数*号测试条件*小值典型值*大值单 位
集电*漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA
发射*漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电*、发射*击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V
发射*、基*击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V
集电*、基*击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V
集电*、发射*饱和压降VCE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 0.6 V
基*、发射*饱和压降VBE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 1.2 V
基*、发射*压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300
HFE2 VCE=1V,IC=500mA 40
1.2
参数*号标称值单位
集电*、基*击穿电压VCBO 30 V
集电*、发射*击穿电压VCEO 25 V
发射*、基*击穿电压VEBO 5 V
集电*电流IC 500 mA
集电*功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
（按HEF1分类）标准分档： F：96-135 G：112-166 H:144-202 I:200-300
TO-92
1. 发射* E
2. 基 * B
3. 集电* C
F G H1 H2 I1 I2
96-120 120--300
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