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场效应管IPD035N06L3G

场效应管IPD035N06L3G
场效应管IPD035N06L3G
  • 品牌/型号:

    INFINEON/英飞凌/IPD035N06L3G

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMDSO/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    30(V)

  • 夹断电压:

    30(V)

  • 跨导:

    24(μS)

  • *间电容:

    500(pF)

  • 低频噪声系数:

    24(dB)

  • 漏*电流:

    24(mA)

  • 耗散功率:

    24(mW)

普通会员
商品信息 更新时间:2013-03-09

 供应场效应管IPD035N06L3G供应场效应管IPD035N06L3G供应场效应管IPD035N06L3G供应场效应管IPD035N06L3G供应场效应管IPD035N06L3G供应场效应管IPD035N06L3G供应场效应管IPD035N06L3G供应场效应管IPD035N06L3G

联系方式

企业名:广州市越秀区卓煌电子经营部

类型:经销商

电话: 020-81866509

联系人:陈大强

地址:广东广州惠福西路175号精鸿电子城房间B23-23A

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