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| 是否提供加工定制：是 | 品牌：长电 | 型号：S9014 |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | *性：NPN型 |
| 集电**大允许电流ICM：10（A） | 集电**大耗散功率PCM：0.625（W） | 截止频率fT：30（MHz） |
| 封装形式：贴片型 | 封装材料：塑料封装 |
C9014 NPN三*管
△主要用途：
作为低频、低噪声前置放大，应用于机、VCD、
DVD、电动玩具等电子产品（与C9015互补）
参数*号测试条件*小值典型值*大值单 位
集电*漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA
发射*漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电*、发射*击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V
发射*、基*击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V
集电*、基*击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V
集电*、发射*饱和压降VCE(sat
)
IC=100mA,IB=10mA 0.25 V
基*、发射*饱和压降VBE(sat
)
IC=100mA,IB=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700
HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25
参数*号标称值单位
集电*、基*击穿电压VCBO 60 V
集电*、发射*击穿电压VCEO 50 V
发射*、基*击穿电压VEBO 5 V
集电*电流IC 150 mA
集电*功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
（按HEF1分类）标准分档： B：100-300 C：200-600 D:400-1000
TO-92
1. 发射* E
2. 基 * B
3. 集电* C
B C1 C2 D1 D2 D3
120-200 200-700
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