| 是否提供加工定制：是 | 品牌：长电 | 型号：C1815 |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | *性：NPN型 |
| 集电**大允许电流ICM：150（A） | 集电**大耗散功率PCM：400（W） | 截止频率fT：80（MHz） |
| 结构：点接触型 | 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
主要参数：
Symbol*号 | Parameter 参数 | Value数值 | Units单位 |
VCBO | Collector-Base Voltage 集电*-基*电压 | 60 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage 集电*-射*电压 | 50 | V |
| VEBO | Emitter-Base Voltage 射*-基*电压 | 5 | V |
| IC | Collector Current 集电*电流 | 150 | mA |
| IB | Base Current 基*电流 | 50 | mA |
PC | Collector Power Dissipation 耗散功率 | 400 | mW |
| TJ | Junction Temperature 结温 | 125 | ℃ |
| TSTG | Storage Temperature 贮藏温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数：
Symbol *号 | Parameter 参数 | Test Condition 测试条件 | Min. *小 | T*. 平均 | Max. *大 | Units 单位 |
| ICBO | Collector Cut-off Current 集电*截止电流 | VCB=60V, IE=0 | - | - | 0.1 | μA |
| IEBO | Emitter Cut-off Current 射*截止电流 | VEB=5V, IC=0 | - | - | 0.1 | μA |
| hFE1 hFE2 | DC Current Gain直流电流增益 | VCE=6V, IC=2mA VCE=6V, IC=150mA | 70 25 | - | 700 | - |
| VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage集电*-发射*饱和电压 | IC=100mA, IB=10mA | - | 0.1 | 0.25 | V |
| VBE (sat) | Base-Emitter Saturation Voltage 基*-射*饱和电压 | IC=100mA, IB=10mA | - | - | 1.0 | V |
| fT | Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 | VCE=10V, IC=1mA | 80 | - | - | MHz |
| Cob | Output Capacitance输出电容 | VCB=10V, IE=0, f=1MHz | - | 2.0 | 3.0 | pF |
| NF | Noise Figure 噪声系数 | VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz | - | 1.0 | 3.0 | db |
放大倍数表示：
| 后缀*号 | O | Y | GR | L |
| 放大倍数 | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
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