BD435-10 电 特 性 - 参 数

名称: BD435-10

材料: Si

结构: npn

*大耗散功率 (Pc): 36W

集电* -- 基*击穿电压 (Ucb): 32V

集电* -- 发射*击穿电压 (Uce): 32V

发射* -- 基*击穿电压 (Ueb): 5V

*大集电*电流 (Ic max): 4A

*高结温BD435-10(Tj): 150?C

特征频率 (ft): 3MHz

集电*电容 (Cc), Pf: 30

直流电流增益 (hFE), min/max: 63/160

制造商: NSC

案例: TO126

企业名：游泽钦

类型：经销商

电话： 0755-28448854

联系人：游泽钦

地址：广东深圳新亚洲电子市场二期