IRFB4710PBF IRFB4710 IR场效应管原装现货供应

品牌：
IR/国际整流器
型号：
IRFB4710PBF IRFB4710
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
DC/直流
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
45（V）
夹断电压：
10（V）
跨导：
10（μS）
*间电容：
6160（pF）

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称

IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF

TO-220AB PKG

IR Hexfet TO-220AB

50

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

14 毫欧 @ 45A, 10V

100V

75A

5.5V @ 250µA

170nC @ 10V

6160pF @ 25V

3.8W

通孔

TO-220-3

管件

TO-220AB

深圳科顺龙电子

*IRFB4710PBF

标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称

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