韩国LS原装*IGBT模块 LVH150G1201Z

型号/规格：
LVH150G1201Z
封装外形：
SP/*外形
品牌/商标：
LS/产电
用途：
A/宽频带放大
材料：
ALGaAS铝镓砷
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型

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二极管(12)
∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(3)∟ 快/超快/特快恢复二极管(5)∟ 肖特基二极管(2)∟ 其他二极管(2)
三极管(1)
∟ 低噪声三极管(1)
场效应管MOSFET(6)
∟ MOSFET(3)
可控硅IGBT(1)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-04

LS产电IGBT模块 LVH150G1201Z产品简介：

LS产电针对工业应用推出的2-Pack SUSPM产品。这些模块设计灵活，性能*，*性高，可以满足不同客户的要求。提供三种标准封装尺寸（34mm,48mm,62mm),都采用*新的IGBT技术，在600V，1200V,1700V三种电压下，电流范围从50A到400A。主要应用于工业马达驱动、电焊机、UPS/EPS、感应加热器等。

型号及技术参数列表：

Package	V_C*[V]	I_C[A]	Part Number	Frequency	V_CE(sat)[V]t*@25℃
SUSPM1	600	75	LUH75G602Z	<=40kHz	2.5
		100	LUH100G602Z	<=40kHz	2.5
		75	LUH75G603Z	<=20kHz	1.45
		100	LUH100G603Z		1.45
		150	LUH150G603Z		1.45
		200	LUH200G603Z		1.45
	1200	50	LUH50G1201Z	<=20kHz	1.7
		75	LUH75G1201Z		1.92
		100	LUH100G1201Z		1.92
		75	LUH75G1202Z	<=40kHz	3.1
		100	LUH100G1202Z	<=40kHz	3.3
		75	LUH75G1203Z	<=20kHz	1.7
		100	LUH100G1203Z	<=20kHz	1.7
	1700	50	LUH50G1203Z	<=20kHz	2
	1700	75	LUH75G1203Z	<=20kHz	2
SUSPM2	600	300	LVH300G603Z	<=20kHz	1.45
	600	400	LVH400G603Z	<=20kHz	1.45
	1200	150	LVH150G1201Z	<=20kHz	2
		200	LVH200G1201Z	<=20kHz	2.13
		150	LVH150G1202Z	<=40kHz	3.1
		150	LVH150G1203Z	<=20kHz	1.7
		200	LVH200G1203Z	<=20kHz	1.7
	1700	100	LVH100G1703Z	<=20kHz	2
	1700	150	LVH150G1703Z	<=20kHz	2
SUSPM3	600	300	LWH300G603	<=20kHz	1.45
	600	400	LWH400G603	<=20kHz	1.45
	1200	150	LWH150G1201	<=20kHz	2
		200	LWH200G1201		2.13
		300	LWH300G1201		2
		150	LWH150G1202	<=40kHz	3.1
		200	LWH200G1202	<=40kHz	3.3
		200	LWH200G1203	<=20kHz	1.7
		300	LWH300G1203		1.7
		400	LWH400G1207		1.7
	1700	200	LWH200G1703	<=20kHz	2
	1700	300	LWH300G1703	<=20kHz	2