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场效应管SSF2N60图片|2N60设计方案|SSF2N60设计指导

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  • 型号/规格:

    SSF2N60

  • 品牌/商标:

    韩国索森美

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    *率

普通会员
  • 企业名:深圳市三资半导体有限公司

    类型:生产企业

    电话: 0755-88876523

    手机:13928415552

    联系人:刘释临

    QQ: QQ:1718223000

    邮箱:56023128@qq.com

    地址:广东深圳福田区中航路国利大厦19楼(1906)

产品分类
商品信息

深圳市三资半导体有限公司供应2N60|2N60图片|SSF2N60|SSF2N60图片|2N60设计方案|SSF2N60设计指导2N60|SSF2N60|场效应管2N60|2N60设计方案|2N60设计指导|2N60参数SSF2N60|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数地址:深圳市福田区中航路国利大厦13楼(1310)销售

SSF2N60产品参数:

型号:SSF2N60 封装:TO-220

主要参数: 2A/600V,RDS(on)=4.7Ω(VGS=10V,ID=1.0A)
 应用领域:
*灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器
 产品功能:
功率MOS*—2N60          2A,600V  N沟道
       2N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性,如*快
的开关速度,*低栅电荷,*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源,
DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。
   1、特征
 · 2A,600V, RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V;
 · *低栅电荷,典型9nC;
 ·*低反向转换电容;典型5pF
 · 快速开关能力;
 · 增强的dV/di能力;
 · 100%雪崩击穿测试;
 · 封装型式:TO-220,TO-220F,TO-251,TO-252
 · *大结温 150 ℃
产品图片:
 

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三资半导体主要优势产品有SSF2N60SSF5N60SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3CR6224TCR6224SCR6228TCR6229TCR6235SCR6236TCR6238TCR6850SCR6850TPR9853TPR9853SPR8275*R10100*R10200*R10150*R20100*R20150*R20200*R30100*R30150*R30200.等。

 

优势品牌:SOURC*EMI韩国索森美  MHCHXM海矽美  美国IPS   CR/西安民展微FAIRCHILD IR ST TRU*EMI FAIRCARD  POWER-RAIL PANJIT MOSPEC LT YS

 

地址:深圳市福田区中航路国利大厦13楼(1310)销售

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联系方式

企业名:深圳市三资半导体有限公司

类型:生产企业

电话: 0755-88876523

手机:13928415552

联系人:刘释临

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