IRFB4115PbF
MOSFET N 通道
IR
*缘栅型场效应管/MOS场效应管
N型沟道
增强型
企业名：上海卓玉电子有限公司
类型：经销商
电话： 021-18701882178
手机：18701882178
联系人：孙小姐
QQ： 
邮箱：970976134@QQ.COM
地址：上海上海市上海市松江区
| 数据列表 | IRFB4115PbF |
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET? |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏*源*电压(Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 104A |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @25° C | 11 毫欧 @62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（*大） | 5V @ 250μA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| 功率 - *大 | 380W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
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