Infineon（英飞凌）是原西门子半导体集团股票*上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的*产品。西门子在**推出NPT-IGBT，具有高*、*的*优性能价格比。IGBT 芯片产量*，当今*每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不*生产IGBT芯片，还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二*管等；IGBT模块、可控硅等归属于其100％子公司――EUPEC生产。

一、      

Infineon高频600V IGBT2优质单管（硬开关频率fK≤150KHZ）

☆开关频率可*150KHz（硬开关）     ☆可替代许多MOSFET应用领域     ☆内置Emcon快恢复二*管

二、      Infineon快速型1200V IGBT2优质单管（硬开关频率≤50KHZ）

☆开关频率可达50KHz（硬开关）   ☆内置Emcon快恢复二*管  

英飞凌（Infineon）“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术，NPT-IGBT优质单管具有：

◆正温度系数饱和压降，易于并联，具有类MOSFET特性。◆参数离散性小，便于批量生产。◆开关速度快，高频特性好。  

◆拖尾电流小，且随温度增加不明显增加高温特性优异。 ◆无锁定效应，过载能力强，*性高。

三、      

Infineon 600V低饱和压降型IGBT3单管（硬开关频率fK≤50KHZ）

☆TC=25℃  VCE（sat）=1.50V     ☆*大工作结温可达Tjmax≤175℃     ☆内置反并联软、快恢复（Emcon）*二*管

☆采用沟槽栅+电场终止层（Field s*）IGBT工艺技术  ☆*性高，高温性能稳定，特性优异，具有*优的性能价格比  

四、      Infineon 1200V低饱和压降型IGBT3单管（硬开关频率fK≤20KHZ）

☆TC=25℃  VCE（sat）=1.70V     ☆正温被系数饱和压降易于并联     ☆TO-247封装易于安装

☆采用沟槽栅+电场终止层（Field s*）IGBT工艺技术     ☆内置反并联软、快恢复（Emcon）*二*管

英飞凌*原装，品质*，价格优势，欢迎来电洽谈！

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