NEC齐纳二*管|RD43M-T1B

工作温度范围：
105（℃）
功耗：
200mW
型号/规格：
RD43M-T1B
材料：
硅(Si)
品牌/商标：
NEC/日本电气
产品类型：
齐纳管
针脚数：
3
是否*：
是
封装：
SOT23

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市辉盛伟业电子科技有限公司

类型：经销商

电话：

手机：13631682277

联系人：柯伟斌

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区中航路高科德电子市场5楼53845

产品分类

二极管(42)
∟ 整流二极管(2)∟ 变容二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(5)∟ 其他二极管(16)
三极管(4)
∟ 开关三极管(1)
场效应管MOSFET(3)
∟ MOSFET(3)
电容器(6)
∟ 瓷片(瓷介)电容(6)
电阻器(1)
∟ 热敏电阻(1)
电感器(2)
∟ 功率电感(2)
电源/稳压器(2)
∟ 模块电源/电源模块(2)
IT/电子产品成套件(1)
∟ LCD液晶电视机(1)

新品上架

商品信息

D*CRIPTION
T*e RD2.0M to RD47M Series are planar t*e zener diodes
processing an allowable power dissipation of 200 mW.
FEATUR*
· Planar process
· VZ; Applied E24 standard.
APPLICATIONS
Circuits for,
Constant Voltage, Constant Current,
Waveform clipper, Surge absorber, etc.
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Power Dissipation P 200 mW
Forward Current IF 150 mA
Junction Temperature Tj 150°C
Storage Temperature Tstg –55 to 150°C
Peak Reverse Power PRSM 100 W (t = 10 ms)