105（℃）
200mW
RD43M-T1B
硅(Si)
NEC/日本电气
齐纳管
3
是
SOT23
企业名：深圳市辉盛伟业电子科技有限公司
类型：经销商
电话：
手机：13631682277
联系人：柯伟斌
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路高科德电子市场5楼53845
∟ 整流二极管(2)∟ 变容二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(5)∟ 其他二极管(16)
D*CRIPTION
T*e RD2.0M to RD47M Series are planar t*e zener diodes
processing an allowable power dissipation of 200 mW.
FEATUR*
· Planar process
· VZ; Applied E24 standard.
APPLICATIONS
Circuits for,
Constant Voltage, Constant Current,
Waveform clipper, Surge absorber, etc.
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Power Dissipation P 200 mW
Forward Current IF 150 mA
Junction Temperature Tj 150°C
Storage Temperature Tstg –55 to 150°C
Peak Reverse Power PRSM 100 W (t = 10 ms)
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