TOSHIBA/东芝
TK12A60U
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
GEP/互补类型
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
1(V)
1(V)
1(μS)
1(pF)
企业名:上海琼创电子科技有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:顾丽晴
地址:上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
部件型号 | TK12A60U | |
*性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 600 V | |
漏电流ID | 12 A | |
漏功耗PD | 35 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 14 | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.4 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司