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场效应管 BTS244Z / BTS244ZE3062A

场效应管 BTS244Z / BTS244ZE3062A
场效应管 BTS244Z / BTS244ZE3062A
  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    BTS244Z

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    2(V)

  • *间电容:

    2660(pF)

  • 漏*电流:

    35,000(mA)

  • 耗散功率:

    170,000(mW)

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区丰尔电子商行

    类型:经销商

    电话:

    联系人:杨金海

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北华强电子世界10A051

商品信息 更新时间:2013-01-21

BTS244Z中文资料:

 

制造商

Infineon Technologies

制造商*件编号

BTS244Z E3062A

描述

MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

TEMPFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

13毫欧 @ 19A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

55V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

35A

Id时的 Vgs(th)(*大)

2V @ 130µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

130nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

2660pF @ 25V

功率 - *大

170W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-5, D²Pak(4引线 接片), TO-263BB

供应商设备封装

P-TO263-5

包装

带卷 (TR)


公司照片:









 

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