英飞凌大功率IGBT--IGW30N100T(图)

品牌：
INFINEON/英飞凌
型号：
IHW20N120R3/H20R1203
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
D/变频换流
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
IGBT*缘栅比*
开启电压：
1.48（V）
夹断电压：
1.75（V）
跨导：
42（μS）
*间电容：
453（pF）

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产品分类

场效应管MOSFET(19)
∟ 结型场效应管(10)

新品上架

商品信息

H20R1203 Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchS* -technology with anti-parallel diode
09年英飞凌原装现货
应用范围：电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、电焊机、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源等各种产品

我们货源充足，品种*,质量*，价格合理，我们在国内市场中具备*对的竟争优势,能给众多生产商**的经济效益。本公司拥有*的元件质量检测系统,对于拆机元件*经过*的检测,让我们的质量在同行中脱颖而出,*了广大客户的信赖和支持，现有固定客户上百家,客户**各地

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