SVD2N60M SVD2N60F 600V N 沟道增强型场效应管 TO-251

品牌：
SILAN/士兰微
型号：
SVD2N60M
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
D-G双栅四*
封装外形：
LLCC/无引线陶瓷片载
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
600（V）
夹断电压：
20（V）
跨导：
10（μS）
*间电容：
1（pF）

发布询价信息

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企业名：结型场效应管深圳市长亮源科技有限公司

类型：经销商

电话：

手机：13686863821

联系人：古泳

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强广场D座21楼J室

产品分类

场效应管MOSFET(63)
∟ 结型场效应管(39)

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商品信息

SVD2N60M
描述
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
特点
? 2A，600V，RDS(on)=4.6Ω@VGS=10V
? 低栅*电荷量
? 低反向传输电容
? 开关速度快
? *了dv/dt 能力

联系方式

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