INFINEON*原装MOS场效应管 SPP80N08S2L-07 2N08L07

封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格：
SPP80N08S2L-07 2N08L07
材料：
GaAS-FET砷化镓
用途：
MW/微波
品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
沟道类型：
N沟道
种类：
结型(JFET)
导电方式：
耗尽型

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企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

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产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

INFINEON英飞凌*原装MOS场效应管 SPP80N08S2L-07 2N08L07

SPP80N08S2L-07 2N08L07产品规格参数

数据列表 SP(P,B)80N08S2L-07

标准包装 500
类别分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点逻辑电平门

漏*至源*电压(Vdss) 75V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 80A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 7.1 毫欧 @ 67A, 10V

Id 时的 Vgs(th)（*大） 2V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs 233nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6820pF @ 25V

功率 - *大 300W

安装类型通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商设备封装 P-TO220-3

包装管件

其它名称 SP

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