FAIRCHILD/*童
FDD306P
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
原厂规格(V)
原厂规格(V)
原厂规格(μS)
原厂规格(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product T*e: MOSFET Power
配置: Single
晶体管*性: P-Channel
封装 / 箱体: TO-252
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.028 Ohm @ 4.5 V
汲*/源*击穿电压: - 12 V
闸/源击穿电压: + /- 8 V
漏*连续电流: 6.7 A
功率耗散: 52 W
*大工作温度: + 175 C
封装: Reel
*小工作温度: - 55 C
Part # Aliases: FDD306PNL
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司