IR/国际整流器
G4PF50W IRG4PF50WPBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF
IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF
G4PF50W IRG4PF50WPBF产品规格 参数
数据列表 IRG4PF50WPbF
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 900V
Vge, Ic时的*大Vce(开) 2.7V @ 15V, 28A
电流 - 集电* (Ic)(*大) 51A
功率 - *大 200W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1516 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRG4PF50WPBF
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司