IRLML0060TRPBF
IR
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:2.7 A
Rds上漏源导通电阻:116毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-萘甲酸:2.5 nC
MOSFET工作温度:-55 C
MOSFET工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.25 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.1毫米
长度:2.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:1.3毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:7.6 s
下降时间:4.2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:6.3 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:6.8 ns
典型起始延迟时间:5.4 ns
零件号别名:IRLML0060TRPBF SP001568948
单位重量:8毫克
应用领域
负载/系统开关
特征
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1
优点
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
60 |
V |
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
2.7 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
2.1 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
11 |
|
PD @TA= 25°C |
Maximum Power Dissipation |
1.25 |
W |
PD @TA= 70°C |
Maximum Power Dissipation |
0.80 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.01 |
mW/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJA |
Junction-to-Ambient ƒ |
––– |
100 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient (t < 10s) „ |
––– |
99 |
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼