IRFB4229PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:250 V
Id-连续直流电流:46 A
Rds上漏源导通电阻:46毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Qg-血浆甲醛:72 nC
工作温度:-40 C
工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:330 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-预期:83 S
下降时间:21 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:31 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:30 ns
典型中断时间:18 ns
零件号别名:IRFB4229PBF SP001565910
单位重量:6 g
特征
•先进的工艺技术
•针对PDP维持,能量回收和通道切换应用优化的关键参数
•低EPULSE额定值,以减少PDP维持,能量回收和通行开关应用中的功耗
•低质量保证,快速响应
•高重复峰值电流能力,确保可靠运行
•缩短下降和上升时间以实现快速切换
•175°C的工作结温,以提高坚固性
•重复的雪崩能力,具有坚固性和可靠性
•D类音频放大器300W-500W(半桥)
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计。
等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。
该MSFET利用的处理技术来实现较低的
每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。
该MOSFET的其他功能是175°C的工作结温
和高重复峰值电流能力。 这些特性相结合,
使该MOSFET成为用于PDP驱动应用的高效,
坚固和可靠的器件。
额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±30 |
V |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
46 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
33 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
180 |
|
IRP @ TC = 100°C |
Repetitive Peak Current CT |
91 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
330 |
W |
PD @TC = 100°C |
Power Dissipation |
190 |
|
|
Linear Derating Factor |
2.2 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-40 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature for 10 seconds |
300 |
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw |
10lb"in (1.1N"m) |
N |
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼