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IRFB4229PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRFB4229PBF MOSFET   ▊进口原装现货▊
IRFB4229PBF MOSFET   ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息 更新时间:2020-06-09

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:250 V
Id-连续直流电流:46 A
Rds上漏源导通电阻:46毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Qg-血浆甲醛:72 nC
工作温度:-40 C
工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:330 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-预期:83 S
下降时间:21 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:31 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:30 ns
典型中断时间:18 ns
零件号别名:IRFB4229PBF SP001565910
单位重量:6 g
特征
•先进的工艺技术
•针对PDP维持,能量回收和通道切换应用优化的关键参数
•低EPULSE额定值,以减少PDP维持,能量回收和通行开关应用中的功耗
•低质量保证,快速响应
•高重复峰值电流能力,确保可靠运行
•缩短下降和上升时间以实现快速切换
•175°C的工作结温,以提高坚固性
•重复的雪崩能力,具有坚固性和可靠性
•D类音频放大器300W-500W(半桥)

描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计。 

等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。

 该MSFET利用的处理技术来实现较低的

每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。

 该MOSFET的其他功能是175°C的工作结温

和高重复峰值电流能力。 这些特性相结合,

使该MOSFET成为用于PDP驱动应用的高效,

坚固和可靠的器件。
额定值

Parameter

Max.

Units

VGS

Gate-to-Source Voltage

±30

V

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

46

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

33

IDM

Pulsed Drain Current G)

180

IRP @ TC = 100°C

Repetitive Peak Current CT

91

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

330

W

PD @TC = 100°C

Power Dissipation

190

 

Linear Derating Factor

2.2

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-40  to + 175

°C

 

Soldering Temperature for 10 seconds

300

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10lb"in (1.1N"m)

N

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

微信:

邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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