现货供应原装 IRGC30FD-S IRGC30F GC30F

品牌：
IR/国际整流器
型号：
IRG*C30FD-S IRG*C30F G*C30F
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-HBM/半桥组件
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
22（V）
夹断电压：
2（V）
跨导：
22（μS）
*间电容：
22（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈义伟

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产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息

*现货供应原装 IRG*C30FD-S IRG*C30F G*C30F

IRG*C30FD-S产品规格参数

数据列表 IRG*C30FD-SPbF

产品相片 D2PAK, TO-263

产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor D2PAK

标准包装 50
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 600V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 1.8V @ 15V, 17A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 31A

功率 - *大 100W

输入类型标准型

安装类型表面贴装

封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线接片), TO-263AB

供应商设备封装 D2PAK

包装管件

产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF)

其它名称 *IRG*C30FD-SPBF

IRG*C30F G*C30F产品规格参数

数据列表 IRG*C30F

产品相片 TO-220AB Pkg

标准包装 50
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 600V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 1.8V @ 15V, 17A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 31A

功率 - *大 100W

输入类型标准型

安装类型通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商设备封装 TO-220AB

包装管件

其它名称 *IRG*C30F