FAIRCHILD/*童
FQPF8N60C
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
AM/调幅
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
11(V)
11(V)
11(μS)
11(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 1.2 Ohms
正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 8.7 S
汲*/源*击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏*连续电流: 7.5 A
功率耗散: 48 W
*大工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
*件号别名: FQPF8N60C_NL
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司